Si基板上β-SiCに関する諸話題（「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」）研究会資料（1986年4月30日）
“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績3）および5）と関係が深いものです。
This workshop material was written by Kentaro Shibahara during his doctoral studies at Kyoto University. Its content is closely related to his research achievements (3) and (5).
３）K. Shibahara, T. Saito, （S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on Si(100)”, IEEE Electron Device Lett., 7 (1986) 692-693.
５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.
松波研究室では毎週研究会があり、出席メンバーが保存しておられました。iC半導体研究業績紹介
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芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
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芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986）
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