「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日　“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986

1986年9月に世界初の反転型SiC MOSFETをSSDMで発表した芝原が、その数か月前に、デバイス作製について研究室内で自ら具体的計画を説明している研究会¹資料です.　
This document records Shibahara personally presenting his specific plans for device fabrication at a laboratory research meeting several months before he presented the world’s first inversion-type SiC MOSFET at SSDM in September 1986.

内　容　
1. Introduction … p1-2
2. 「APDは何故できるか？何故できないのか？」（結晶成長）… p3-6
3. デバイス作製計画　
（※1986年IEEE EDLに発表の反転型SiC MOSFET）
　①デバイス形式：MOS反転型（ｎチャネル）FET … p7
　②デバイス構造：Ｐ７の図を参照 … p7
　③製作プロセス (1)-(10)… p7-10
4. 図と写真 … p11-22

【関連する寄稿記事・研究史など】
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1. 当時芝原は京都大学松波研究室で，博士課程在籍中で,松波弘之教授の主催する研究室では毎週研究会が開かれていました. ↩︎