研究会資料「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する２，３の話題」1986年4月30日

京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績３）と５）と関係が深いものです。　　

３）K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on Si(100)”, IEEE Electron Device Lett., 7 (1986) 692-693.

５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.　　

松波研究室では毎週研究会があり、それに出席していた方が持っておられたのを頂きました。 SiC半導体研究業績紹介  研究業績