研究会資料「Si基板上に成長させ”β-SiCに関する２，３の話題」1986年4月30日

以前、手書きの研究会資料を頂きました。貴重な資料だ、掲載すると良い、と言われましたので、掲載します。内容は、研究業績３）と５）と関係が深いものです。　

３）K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on Si(100)”, IEEE Electron Device Lett., 7 (1986) 692-693.　　５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.

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