世界初の反転型SiC-MOSFETを作製・動作確認, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS に掲載される（1986年） SiCパワーデバイス実用化を可能にした「ステップ制御エピタキシー」実現でSSDM賞を受賞（2005年） 松波弘之 京都大学名誉教授 (IEEE Edison Medal受賞)が語る 芝原健太郎の歩み ー 世界初の反転型SiC-MOSFETを実現 ー