『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳
Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices (Yuan Taur and Tak H. Ning)
先端CMOSデバイス分野における世界的標準教科書『タウア・ニン最新VLSIの基礎』（Fundamentals of Modern VLSI Devices, Y. Taur and T. H. Ning）の日本語版（第1版 2002年・第2版 2013年）を監訳しました。1本書は教育機関および産業界の双方から高く評価され、大学院の教科書や若手研究者の教育において広く受け継がれ、同分野の教育・学術基盤の確立と発展に大きく貢献しています。現在は それに続く『タウア・ニン最新VLSIの基礎 第3版』が出版されています。
タウア氏（Dr. Yuan Taur）との会話から始まった監訳エピソードと寄せられた声はこちら↓
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
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証言記録 ステップ制御エピタキシー ―黒田尚孝と芝原健太郎
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
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芝原健太郎・松波研究室｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証―IEEE EDL 1986 Kentaro Shibahara and the Matsunami Laboratory | World’s First Demonstration of an Inversion-Type SiC MOSFET — IEEE EDL 1986
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芝原健太郎と松波弘之：ステップ制御エピタキシーとSSDM賞/ Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: Step-Controlled Epitaxy and the SSDM Award
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
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「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
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「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 “Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986
編集履歴：2026年 2/23写真入替・キャプション追加、2026年4月15日英語併記
- 『タウア・ニン最新VLSIの基礎 第3版』については、芝原健太郎は「翻訳著作者名」となっています。
書籍表紙写真は丸善出版株式会社の許可を得て掲載しています。 ↩︎