MENU
HOME
ﾌﾟﾛﾌｨｰﾙ
Profile
主要記事
Featured Articles
学会・社会活動
Activities
受 賞
Awards
SiC半導体研究
SiC Power Devices
Si半導体研究
Silicon Nanodevices
学位論文
Dissertation
目 次 Table of Contents
序 文 PREFACE
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
Publications
出版
Books
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
HOME
ﾌﾟﾛﾌｨｰﾙ
Profile
主要記事
Featured Articles
学会・社会活動
Activities
受 賞
Awards
SiC半導体研究
SiC Power Devices
Si半導体研究
Silicon Nanodevices
学位論文
Dissertation
目 次 Table of Contents
序 文 PREFACE
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
Publications
出版
Books
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
HOME
ﾌﾟﾛﾌｨｰﾙ
Profile
主要記事
Featured Articles
学会・社会活動
Activities
受 賞
Awards
SiC半導体研究
SiC Power Devices
Si半導体研究
Silicon Nanodevices
学位論文
Dissertation
目 次 Table of Contents
序 文 PREFACE
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
Publications
出版
Books
ホーム
序 文 PREFACE
序 文 PREFACE
PREFACE
ダウンロード
閉じる